数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台

本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。

本科生微电子器件及材料实验目录
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三： MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验

本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求

本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能
实验名称

测试参数
金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验

l 输出特性曲线

l 转移特性曲线

l 跨导gm

l 击穿电压BVDS


四探针法测量半导体电阻率测试实验

l 四探针法电阻率ρ

l 材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频）

l CV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l 霍尔电压VH

l 霍尔电阻率ρ

l 霍尔系数RH

l 载流子浓度n

l 霍尔迁移率u

激光二极管LD的LIV特性测试

l LIV特性曲线

l 阈值电流Ith

l 阈值电流对应电压值Vth

l 拐点Kink

l 线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

l 开路电压Voc

l 短路电流Isc

l 功率大值Pmax

l 填充因子FF

l 转换效率η

l 串联电阻Rs

l 旁路电阻Rsh
本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表五表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台：4寸或6寸手动探针台

有关数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六