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高纯钨是一种制造集成电路的基本材料。材料形状可以是箔膜，薄片，靶材，细丝，绝缘线，直棒，圆管，粉末，单晶体等。用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和金属材料微电子技术中大规模集成电路集成度的提高对材料提出了更高要求，传统的Si基器件已不再适用。高纯钨或超纯钨(5N或6N)由于具有高电子迁移抗力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数，用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和金属材料。高纯金属钨靶是制造集成电路的基本材料之一，其市场前景与集成电路发展密切相关；若钨靶纯度不高，将造成大规模集成电路的作业可靠性降低，甚至产生泄电现象。采用高纯钨，可减少甚至有害杂质的影响，提高终端产品的性能高纯钨的纯度达到99.999%和99.9999%，记为5N和6N的纯钨。它的各种杂质元素含量应在(0.1～1000)×10-12之间，对于某些杂质元素的含量，如放射性元素、碱金属元素、重金属元素和气体元素等还分别有特殊的要求上海 浦东 南汇 奉贤 松江 嘉定 宝山 崇明 青浦 金山 徐汇 江苏 南京 无锡 常州 苏州 昆山 太仓 吴江 宜兴 南通 启东 青海 新疆 西藏 乌鲁木齐 浙江 杭州 宁波 慈溪 绍兴 湖州 嘉兴 嘉善 安微 合肥 芜湖 马鞍山 铜陵 安庆 巢湖 宣城 滁州 蚌埠 六安 亳州 武汉 南昌 福州 长沙 广州 南宁 贵阳 云南 昆明 成都 西宁 兰州 银川 西安 洛阳 开封 商丘 郑州