半导体层的上部设置了蚀刻阻挡层

　　试制面板的驱动元件采用氧化物半导体非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)TFT，每个像素配备2个晶体管和1个电容器(2T1C)。TFT元件采用底栅型构造，为提高可靠性，在半导体层的上部设置了蚀刻阻挡层。载流子迁移率为10cm2/Vs以上。

　　IGZO TFT在第8代(2500mm×2200mm)玻璃基板上制作而成。IGZO层利用DC溅射法成膜。在玻璃基板的62个点测量I-V特性的结果显示，“阈值电压(Vth)偏差只有±0.5V”(显示器的Lee)。

　　开发品采用在白色(W)OLED发光材料上组合使用RGBW四色彩色滤光片(CF)的“WOLED+CF”方式实现彩色显示。元件构造为从TFT基板提取光的底部发光型。彩色滤光片在TFT基板上形成，然后在其上蒸镀低分子型白色OLED发光材料。白色有机材料采用在蓝色萤光材料上重叠红色和绿色磷光材料的“串联型”结构。蚀刻阻挡层http://www.ix***.cn/product/semiconductor/zh/products/etch-stopping/pages/default.aspx

　　通过采用WOLED+CF方式，与分涂RGB三色发光材料的方式相比，除了容易实现大屏幕化外，还易于确保量产时的成品率。但存在的课题是，采用CF会导致耗电量增加。不过通过追加W(透明)CF，降低了耗电量。“与采用分涂RGB三色发光材料的方式相比，平均显示画面的耗电量稍高一些，但全白显示时的耗电量较低”(显示器的Lee)。不过，Lee没有公布耗电量数值。