多重闸极介电层的结构及其制造方法

　　

　　闸极介电层http://www.ix***.cn/product/semiconductor/zh/products/dielectric/pages/default.aspx

　　本发明是有关于一种多重闸极介电层的结构及其制造方法，且特别是有关于一种可应用于能组件和低漏电流组件的双闸极介电层的结构及其制造方法。

　　多重功能的集成电路是为目前整合的趋势，其必须具备在同一芯片(chip)上制造具有不同特性的晶体管。具体而言，是为在同一芯片上设置不同厚度的闸极氧化层，以提供具有不同操作电压的晶体管。

　　为了提升组件的操作速度，往往将逻辑电路(logic circuit)与内存电路(memory circuit)混合制作于同一芯片上，此种混合设置的组件称为嵌入式半导体装置(embedded semiconductor device)。通常，逻辑电路需要较薄的闸极氧化层，并能于约1.8至2.5伏特左右的操作电压下工作，以提高晶体管的切换速度(switching speed);而存储单元区和其周边电路区则需要较厚的闸极氧化层，并能于约3.0至5.0伏特左右的操作电压下工作。

　　传统在两个不同区域分别制造两种不同闸极氧化层厚度的方法，是先于硅基底上形成层闸极氧化层，之后借由光阻层保护区域的闸极氧化层，并利用蚀刻法移除第二区域的闸极氧化层。将光阻层移除之后，进行第二次的闸极氧化层的制程，以于第二区域形成具有第二厚度的闸极氧化层，而此时位于区域的闸极氧化层的厚度亦会增加。因此，硅基底的区域具有厚度的闸极氧化层，第二区域具有第二厚度的第二闸极氧化层。